镍硅化物诱导横向晶化制备高性能多晶硅薄膜晶体管

• 作者: 彭尚龙 胡多凯 贺德衍
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 镍硅化物 金属诱导横向晶化 多晶硅薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 303-307
• 分类号: TN321+.5|TN304.055|TN304.8
• 字数: 2711字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20122703.0303

摘要

提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法.分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性.测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸,且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性,可以有效地减小漏电流,同时可提高场效应载流子迁移率.这主要是由于多晶硅沟道区中镍含量的有效降低使得俘获态密度减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺德衍	兰州大学物理科学与技术学院	68	559	13.0	19.0
2	彭尚龙	兰州大学物理科学与技术学院	2	4	1.0	2.0
3	胡多凯	兰州大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0