MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管

• 作者: 王跃林 金仲和
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属诱导结晶 多晶硅 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1068-1071
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.2
• 字数: 4906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.016

摘要

金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能.采用超薄结构后,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10-13A/μm以下;开关比提高了近100倍达到3×107以上;场效应迁移率从普通结构晶体管的80cm2/Vs(NMOS)与51cm2/Vs(PMOS)分别提高到110cm2/Vs与68cm2/Vs;阈值及亚阈摆幅也有很大改善.文中还将金属诱导结晶与传统固相结晶所得薄膜晶体管的性能进行了比较,并对这些结果进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金仲和	浙江大学信息与电子工程学系	144	1047	18.0	25.0
2	王跃林	浙江大学信息与电子工程学系	39	434	11.0	19.0