LDD工艺参数对多晶硅薄膜晶体管KINK效应的影响

• 作者: 丁磊 梅沁 许剑 钟传杰 韩郑生
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 KINK效应 Medici Tsuprem4
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 173-177
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 1998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.010

摘要

利用Tsuprem4和Medici软件,研究了多晶硅薄膜晶体管的LDD掺杂参数,如掺杂剂量、离子注入能量对KINK效应的影响,得到了它们之间的关系.计算结果表明,随着LDD掺杂剂量的变化,KINK效应对器件的影响是非线性的且存在一个最小值,在掺杂为2×1012cm-2时达到最小.而LDD掺杂能量对K1NK效应的影响是线性的,即随着离子注入能量的增加,KINK效应的影响变小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	钟传杰	江南大学信息工程学院	53	90	5.0	7.0
3	梅沁	无锡供电公司信息中心	9	31	4.0	5.0
4	丁磊	江南大学信息工程学院	6	9	2.0	2.0
5	许剑	江南大学信息工程学院	3	3	1.0	1.0