多晶硅薄膜晶体管工艺中的反应性离子刻蚀

• 作者: 万春明 吴渊 孙艳 李轶华 王国柱 王大海 荆海 陈国军
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 反应性离子刻蚀 刻蚀速率 选择比
• 年，卷（期）: 2002,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 59-64
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2879字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2002.01.011

摘要

对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究,给出了Ta、 p-Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率,通过工艺参数的优化,使薄膜间的选择比在2～20可选择;并通过气体掺杂,实现了SiNx对p-Si的选择比从-1到2的反转.