Halo LDD结构多晶硅薄膜晶体管的模拟研究

• 作者: 于宗光 刘小红 顾晓峰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅薄膜晶体管 Halo LDD 模拟
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1783-1785,1789
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2650字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.06.020

摘要

提出了多晶硅薄膜晶体管的一种Halo LDD新结构,这种结构是在基于LDD结构的基础上,在沟道靠近源、漏端引入高掺杂的Halo区.并利用工艺和器件模拟软件对该Halo LDD P-Si TFT的电学特性进行了分析,并将其与常规结构、LDD结构和Halo结构进行了比较.发现Halo LDD结构的P-si TFT能有效地降低泄漏电流、抑制阈值电压漂移和Kink效应;减少因尺寸减小后所带来的一系列问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	江南大学信息工程学院	89	354	9.0	14.0
5	刘小红	江南大学信息工程学院	5	2	1.0	1.0
6	顾晓峰	江南大学信息工程学院	115	265	9.0	11.0