源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究

• 作者: 李牧菊 杨柏梁 纪世阳
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 轻掺杂 多晶硅薄膜晶体管 同型结 热电子 漏电流
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 129-134
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2585字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2001.02.008

摘要

采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流， 同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果， 使漏极电流降低到10-11A量级， 晶体管的开关电流比值达到106量级。 模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨柏梁	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	12	90	7.0	9.0
3	李牧菊	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	5	16	2.0	4.0
7	纪世阳	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	9	2.0	2.0