LDD结构参数对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响

• 作者: 吕志娟 钟传杰 韩郑生
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 多品硅薄膜晶体管 热载流子退化 Medici Tsuprem4
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 692-695
• 页数: 4页
• 分类号: TN321+.5|TN27
• 字数: 2223字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2008.06.010

摘要

基于Tsuprem4和Medici模拟软件,研究了LDD结构对多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响.计算结果表明当栅氧层厚度tox=0.07 μm时,碰撞离化产生率和热电子注入电流峰值将达到最大,扩展区掺杂浓度增加,使沟道中横向电场和碰撞离化产生率的峰值分布区域向着栅电极的方向移动,即在应力作用下,热载流子退化的区域向着栅电极的方向漂移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	钟传杰	江南大学信息工程学院	53	90	5.0	7.0
3	吕志娟	江南大学信息工程学院	4	5	1.0	1.0