多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展

• 作者: 王明湘 薛敏
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低温多晶硅薄膜晶体管 可靠性 自加热退化 热载流子退化
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 654-659
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 5707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.012

摘要

结合近几年来国际上对于低温多晶硅薄膜晶体管器件可靠性开展的一些有代表性的研究工作,对其中几种常见的退化现象:自加热、热载流子和负偏置温度不稳定性做了分析和归纳,介绍了其退化机制及退化模型,并总结了它们在一般情况下对器件性能的影响及各自的典型应力条件.本文针对目前研究较多的自加热退化和热载流子退化机制做了更深入的探讨,比较了两者的差别,并介绍了它们在反转模式下出现的退化恢复现象.此外,文中还介绍了交流应力下的热载流子退化现象,以及在一些特殊器件结构中的退化现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛敏	苏州大学电子信息学院微电子系	2	5	1.0	2.0
2	王明湘	苏州大学电子信息学院微电子系	13	29	4.0	5.0