搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管直流电应力下的退化行为与退化机制研究

• 作者: 周玮 夏之荷 张猛 王文 郭海成 陈荣盛
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 负偏压温度不稳定性 自加热 热载流子
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: ??特邀报告??
• 页码范围: 187-193
• 页数: 7页
• 分类号: TN141
• 字数: 1935字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153002.0187

摘要

研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在直流电应力下的退化行为和退化机制。与普通多晶硅 TFT 相比,BG 多晶硅 TFT 展现出更好的直流应力可靠性。主要体现在 BG 多晶硅 TFT 拥有更好的直流负偏压温度不稳定性(NBTI)可靠性,更好的直流自加热(SH)可靠性,更好的直流热载流子(HC)可靠性。有源沟道区的 BG 结构是上述直流应力可靠性提高的主要原因。更好的 NBTI 的可靠性主要源于沟道内的硼氢键的形成；更好的 SH 可靠性主要源于在沟道长度方向上更快的焦耳热扩散率；更好的 HC 可靠性主要源于漏端横向电场(E x )的减弱。所有的测试结果都表明,这种高性能高可靠性的 BG 多晶硅 TFT 在片上系统中具有很大的应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭海成	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	39	191	7.0	11.0
2	王文	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	16	97	5.0	9.0
3	张猛	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
4	夏之荷	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	周玮	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
6	陈荣盛	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0