搭桥晶粒多晶硅薄膜晶体管栅交流电应力下的退化行为与退化机制研究

• 作者: 周玮 夏之荷 张猛 王文 郭海成 陈荣盛
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 栅交流应力 动态热载流子
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 91-96
• 页数: 6页
• 分类号: TP394.1
• 字数: 2217字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173202.0091

摘要

本文主要研究了搭桥晶粒(BG)多晶硅薄膜晶体管(TFT)在栅交流电应力下的退化行为和退化机制.在栅交流应力下,动态热载流子效应主导了器件的退化.器件退化只与栅脉冲下降沿有关.越快的下降沿带来越大的动态热载流子退化.比起普通多晶硅TFT,BG多晶硅TFT的热载流子退化大幅度减弱.通过选择性的掺杂注入BG线,沟道中形成的PN结在反向偏置时可以有效分担栅交流电应力带来的电压差,从而减弱动态热载子退化.辅以瞬态模拟结果,栅交流电应力下的退化机制被阐明.所有的测试结果都表明这种高性能高可靠性的BG多晶硅TFT在片上系统应用中具有很大的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭海成	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	39	191	7.0	11.0
2	王文	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	16	97	5.0	9.0
3	张猛	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
4	夏之荷	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	周玮	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0
6	陈荣盛	香港科技大学先进显示与光电子技术国家重点实验室	3	2	1.0	1.0