多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟

• 作者: 杨震宇 王明湘 王槐生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有限元分析 温度分布 薄膜晶体管 自加热退化 稳态及瞬态模拟
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 954-959
• 页数: 6页
• 分类号: TP211+.51
• 字数: 3976字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.029

摘要

采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王槐生	苏州大学微电子学系	3	2	1.0	1.0
2	王明湘	苏州大学微电子学系	13	29	4.0	5.0
3	杨震宇	苏州大学微电子学系	2	6	2.0	2.0