非晶铟镓锌氧薄膜晶体管钼/铜源漏电极的研究

• 作者: 刘国超 张磊 董承远
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 平板显示 非晶铟镓锌氧 薄膜晶体管 钼/铜电极 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 823-829
• 页数: 7页
• 分类号: TN321
• 字数: 2009字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20183906.0823

摘要

针对非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT)的钼/铜源漏电极开展研究.实验证明,单层Mo源漏电极与栅绝缘层之间的粘附性好、表面粗糙度较小、电阻率较大,而单层Cu源漏电极与栅绝缘层之间的结合性差且Cu原子扩散问题严重、表面粗糙度较大、电阻率较小.为了实现优势互补,我们设计了双层Mo(20 nm)/Cu(80 nm)源漏电极,并采用优化工艺制备了包含该电极结构的a-IGZO TFT.器件具有良好的电学特性,场效应迁移率为8.33 cm2·V-1·s-1,阈值电压为6.0 V,亚阈值摆幅为2.0 V/dec,开关比为1.3×107,证明了双层Mo/Cu源漏电极的可行性和实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张磊	上海交通大学电子工程系	109	693	13.0	23.0
2	董承远	上海交通大学电子工程系	12	28	4.0	5.0
3	刘国超	上海交通大学电子工程系	2	2	1.0	1.0