基于单根InAs纳米线场效应晶体管的制备及其电学性能研究

• 作者: 蒋涛 邹旭明 郑定山
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs纳米线 场效应晶体管 阈值电压 迁移率
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 页码范围: 1986-1990
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2406字
• 语种: 中文

摘要

利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋涛	长江大学工程技术学院	9	3	1.0	1.0
2	郑定山	长江大学工程技术学院	9	14	2.0	3.0
3	邹旭明	武汉大学物理科学与技术学院	2	0	0.0	0.0