PZT铁电场效应晶体管电学性能

• 作者: 张树人 李平 翟亚红 蔡道林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 MFMIS 铁电场效应晶体管 存储窗口
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1782-1785
• 页数: 4页
• 分类号: TN384
• 字数: 3060字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.022

摘要

采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的n沟道铁电场效应晶体管.研究了铁电场效应晶体管的C-V特性、I-V特性以及写入速度.顺时针的C-V滞回曲线和逆时针的Id-Vg滞回曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有极化存储性能和明显的栅极化调制效应,并且在-5V到+5V的Vg电压下从C-V和Id-Vg滞回曲线中都得到了2V的存储窗口.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张树人	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	187	1176	16.0	24.0
2	李平	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	144	1645	22.0	36.0
3	翟亚红	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	54	5.0	7.0
4	蔡道林	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	8	2.0	2.0