低压大电流VDMOS器件栅电荷测量

• 作者: 罗萍 蒋苓利 蒲奎 赵璐
• 来源期刊: 实验科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 栅电荷 栅电容 VDMOS器件 测试电路
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 微电子科学与器件
• 页码范围: 49-51,60
• 页数: 4页
• 分类号: TN345
• 字数: 2268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-4550.2006.z1.017

摘要

为了更直观地描述低压大电流VDMOS器件特性,对器件栅电荷特性进行了测量和提取.通过栅电荷曲线(VGS-QG),能导出器件的电容特性,驱动电流大小及能量损耗等相关参数.分析了栅电荷测试电路基本原理,提出一种可行的测试电路,PSPICE仿真和实际电路测试证明了该电路的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗萍		74	534	11.0	20.0
2	蒋苓利		3	17	3.0	3.0
3	蒲奎		2	12	2.0	2.0
4	赵璐		1	5	1.0	1.0