一种改善VDMOSFET高频性能新结构的分析与研究

• 作者: 魏麟
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFETs DC-DC电源 VDMOSFET 栅电荷 优值 模拟
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 520-523
• 页数: 4页
• 分类号: TN323
• 字数: 2430字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.03.016

摘要

栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数.器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标.文中对传统结构和新结构的栅电荷特性进行了二维数值模拟,并推导出可用于计算栅电荷的解析模型.仿真结果表明新结构相对于常规结构,栅电荷降低42.93%,器件优值降低37.05%.最后对新结构进行了参数优化.