VDMOSFET沟道区的研究

• 作者: 李严 李永亮 石广源 高嵩
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 沟道长度 夹断区 VDMOSFET
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 1394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2007.01.004

摘要

讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理系	39	119	6.0	8.0
2	高嵩	辽宁大学物理系	16	117	6.0	10.0
3	李永亮	辽宁大学物理系	2	6	1.0	2.0
4	李严	辽宁大学物理系	2	6	1.0	2.0