功率VDMOSFET与IGBT的最新结构与性能特点

• 作者: 杜国同 金千男
• 来源期刊: 吉林大学学报（信息科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 功率MOSFET 绝缘栅双极晶体管
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 电子科学与工程
• 页码范围: 549-552
• 页数: 4页
• 分类号: TN323.4
• 字数: 2009字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-5896.2004.06.004

摘要

综合评述了VDMOSFET(Vertical Double Diffused MOSFET)与IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的一般器件结构,分析比较了采用垂直沟槽栅极(Trench gate)新结构的功率VDMOSFET与IGBT的结构与性能特点.新结构的VDMOSFET与IGBT能有效地减少原胞尺寸和增加沟道密度,具有大电流,高电压,开关频率高,高可靠性,低损耗的特点.在性能上明显优于目前广泛使用的VDMOSFET和IGBT结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜国同	吉林大学电子科学与工程学院	41	204	8.0	13.0
2	金千男	吉林大学电子科学与工程学院	2	11	1.0	2.0