一种高性能无片外电容型LDO设计

• 作者: 程立 黄鲁
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: LDO 线性稳压器 无片外电容 电源抑制 高性能
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 页码范围: 119-122
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

设计了一种高性能无片外电容型LDO线性稳压器.其中,EA采用推挽输出放大器设计,在静态时保持低功耗,瞬态响应时提供大的输出电流,提高LDO的响应速率.高环路增益使LDO电路具有很高的稳压精度;采用零点补偿技术,保证了LDO环路稳定性.LDO采用0.13μmCMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.2V～2.0V输入电压下,LDO)输出稳定的1.0V电压,输出负载电流为50μA～100 mA,最大负载电容可达到100 pF,低频PSR为-67.5dB@100mA～-85.5dB@50μA,负载调整率0.8μV/mA,LDO的静态电流为50μA,整体版图面积为0.016 3 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄鲁	中国科学技术大学电子科学与技术系	75	277	9.0	13.0
2	程立	中国科学技术大学电子科学与技术系	1	3	1.0	1.0