一种超低功耗无片外电容 LD O

• 作者: 徐卫林 段吉海 熊纯 韦保林 韦雪明
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 无片外电容LDO 超低功耗 瞬态响应增强
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 116-120
• 页数: 5页
• 分类号: TN402|TN86
• 语种: 中文

摘要

设计了一种超低功耗无片外电容型低压差线性稳压器（OCL‐LDO ）电路，引入电荷泄放电路和电流倍增缓冲级以改善稳压器的瞬态响应，通过二级密勒补偿技术保证电路在各种负载条件下的稳定性．同时，采用电流模型跨导运放作为误差放大器，有利于简化电路结构和降低功耗．对该OCL‐LDO的稳定性及瞬态响应进行了分析并采用SMIC 0．18 mm CMOS工艺设计并流片测试．测试结果表明：在负载电流为1 mA、输入电压为1．9～3．2 V时，输出电压可稳定在1．8V左右，压差仅为35mV，且静态电流仅为1．4mA．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段吉海	桂林电子科技大学信息与通信学院	87	272	7.0	11.0
2	韦雪明	桂林电子科技大学信息与通信学院	34	92	4.0	8.0
3	韦保林	桂林电子科技大学信息与通信学院	47	97	4.0	7.0
4	徐卫林	桂林电子科技大学信息与通信学院	55	133	5.0	9.0
5	熊纯	桂林电子科技大学信息与通信学院	1	4	1.0	1.0