一种快速瞬态响应的无片外电容LDO的设计

• 作者: 曾云 杨洁
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 无片外电容 自动检测网络 瞬态响应
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 页码范围: 123-126
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于上华0.5μm工艺,设计了输入电压范围为3.5～6.5V,输出电压为3.3V,最大输出电流为100mA的CMOS无片外电容的低压差线性稳压器.提出了一种自动检测网络用来快速感应负载电流的变化,抑制输出电压的跳变,改善了负载瞬态响应.在稳定性方面,采用miller补偿,加之第二级采用了输出电阻很小的buffer结构[1],这样主极点和次极点分离很远使得系统稳定.仿真表明,该LDO在VIN=6.5V和VIN=3.5V下under-shoot分别为156mV和135mV,overshoot分别为145mV和60mV,线性调整率和负载调整率分别为0.023%和0.5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学物理与微电子科学学院	102	899	13.0	27.0
2	杨洁	湖南大学物理与微电子科学学院	18	82	4.0	8.0