基于阻尼系数控制频率补偿的无电容型LDO设计

• 作者: 余国义 杨诗洋 邹志革 邹雪城 陈晓飞 雷鑑铭
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 线性低压差稳压器 无电容型 阻尼系数控制 频率补偿 稳定性
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 页码范围: 49-52,56
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

基于级间密勒补偿技术,产生一个低频主极点,并通过阻尼系数控制(DFC)单元调节两个次主极点略高于单位增益频率(UGF),使得无电容型LDO开环传递函数中在UGF内只有一个极点,从而保证环路稳定性,同时又优化了系统的动态响应.基于该结构,采用HHNEC 0.25μm CMOS工艺,设计了一个1.8V 100mA的适合SoC应用的无电容型LDO.其电压降为50mV,在50μA到100mA的负载电流范围内,开环传递函数相位裕度高于55度,瞬态电压过冲值低于140mV,负载电流在最大值与最小值之间阶跃变化时,最大恢复时间为3μs,系统静态电流为40μA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹雪城	华中科技大学电子科学与技术系	310	2261	21.0	31.0
2	邹志革	华中科技大学电子科学与技术系	23	164	6.0	12.0
3	陈晓飞	华中科技大学电子科学与技术系	28	239	10.0	14.0
4	雷鑑铭	华中科技大学电子科学与技术系	28	161	7.0	11.0
5	余国义	华中科技大学电子科学与技术系	20	135	6.0	10.0
6	杨诗洋	华中科技大学电子科学与技术系	4	69	3.0	4.0