静态单粒子翻转截面的获取及分类

• 作者: 何宝平 姚志斌 张凤祁 张科营 王忠明 范如玉 郭红霞
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: FPGA 辐照效应 单粒子效应 单粒子翻转
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 811-816
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4305字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20112303.0811

摘要

为了评估静态随机访问存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件的单粒子效应,寻求单粒子翻转敏感部位,以XCV300PQ240为实验样品,利用重离子辐照装置详细测试了该器件的静态翻转截面,并根据配置存储单元用途的不同,对翻转数据进行了分类.结果表明:SRAM型FPGA的内部存储单元对单粒子翻转效应十分敏感;配置存储器翻转主要由查找表(LUT)及互连线资控制位造成,这两者的翻转占总翻转数的97.46%;配置存储器中各类资源的单粒子翻转(SEU)敏感性并不一致,输入输出端口(IOB)控制位和LUT的单粒子翻转的敏感性远高于其它几类资源,但LUT在配置存储器中占有很大比例,在加固时应予以重点考虑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何宝平		46	291	9.0	13.0
2	张凤祁		40	169	8.0	10.0
3	郭红霞		81	385	10.0	13.0
4	姚志斌		35	171	8.0	10.0
5	范如玉		34	168	7.0	10.0
6	王忠明		5	26	4.0	5.0
7	张科营		23	111	7.0	8.0