静态存储器中子单粒子翻转截面的预测模型

• 作者: 周婉婷 解磊
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 中子 单粒子翻转 饱和翻转截面 线性电荷沉积 静态存储器
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 976-979
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2079字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201506.0976

摘要

中子是近地空间和核爆的主要辐射源之一,中子二次反应诱发的单粒子效应极大地影响了电子元器件的可靠性.本文针对商用体硅工艺静态存储器(SRAM)单元提出了一种中子饱和翻转截面预测模型.通过一个电路级的仿真模型,对应于辐射作用距离的线性电荷沉积(LET)效应可以通过基于 SPICE 仿真曲线来表现,进而用来预测翻转截面.该方法简单有效,预测结果与130 nm体硅工艺的中子实验结果吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周婉婷	电子科技大学通信抗干扰技术国家级重点实验室	13	27	3.0	4.0
2	解磊	中国工程物理研究院电子工程研究所	3	11	2.0	3.0