随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应

• 作者: 刘岩 杨善潮 林东生 王桂珍 白小燕 郭晓强 郭红霞 陈伟
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 随机静态存储器 低能中子 单粒子效应 反应堆 特征尺寸 临界电荷
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1547-1550
• 页数: 4页
• 分类号: TN47|TL99
• 字数: 1634字
• 语种: 中文

摘要

建立了中子单粒子翻转可视化分析方法,对不同特征尺寸(0.13～1.50 μm)CMOS工艺商用随机静态存储器(SRAM)器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究,获得了SRAM器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势.研究结果表明:SRAM器件的特征尺寸越小,其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	郭红霞		81	385	10.0	13.0
3	林东生		33	148	8.0	10.0
4	王桂珍		32	156	7.0	9.0
5	杨善潮		28	101	6.0	7.0
6	白小燕		15	73	6.0	7.0
7	刘岩		10	36	3.0	5.0
8	郭晓强		27	152	7.0	11.0