SRAM FPGA电离辐射效应试验研究

• 作者: 于庆奎 唐民 张大宇 张海明 文亮 施蕾
• 来源期刊: 航天器环境工程
• 学科: 工学
• 关键词: 专用集成电路 单粒子效应 总剂量效应 辐照试验 抗辐射加固
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 空间碎片模拟与防护技术
• 页码范围: 229-231
• 页数: 3页
• 分类号: TN492|O483
• 字数: 2493字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1379.2009.03.007

摘要

针对SRAMFPGA空间应用日益增多,以100万门SRAMFPGA为样品,进行了单粒子效应和电离总剂量效应辐照试验.单粒子试验结果是:试验用粒子最小LET为1.66MeV·cm2/mg,出现SEU(单粒子翻转);LET为4.17 MeV·cm2/mg,出现SEFI(单粒子功能中断),通过重新配置,样品功能恢复正常;LET在1.66～64.8MeV·cm2/mg范围内,未出现SEL(单粒子锁定);试验发现,随SEU数量的累积,样品功耗电流会随之增加,对样品进行重新配置,电流恢复正常.电离总剂量辐照试验结果是:辐照总剂量75krad(Si)时,2只样品功能正常,功耗电流未见明显变化.辐照到87 krad(Si)时,样品出现功能失效.试验表明SRAM FPGA属于SEU敏感的器件,且存在SEFI.SEU和SEFI会破坏器件功能,导致系统故障.空间应用SRAM FPGA必须进行抗单粒子加固设计,推荐的加固方法是三模冗余(TMR)配合定时重新配置(Scrubbing).关键部位如控制系统慎用SRAM FPGA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文亮		4	26	2.0	4.0
2	施蕾		8	59	4.0	7.0
3	唐民		14	65	5.0	7.0
4	于庆奎		14	65	5.0	7.0
5	张大宇		7	36	4.0	6.0
6	张海明		3	44	3.0	3.0