体硅CMOS电路瞬时电离辐射下的自洽防闩锁机理分析

• 作者: 李瑞宾 杨善潮 林东生 王桂珍 陈伟
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 瞬时辐射 闩锁 剂量率 CMOS集成电路
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 反应堆工程
• 页码范围: 1637-1641
• 页数: 5页
• 分类号: TN431|TN792
• 语种: 中文
• DOI: 10.7538/yzk.2013.47.09.1637

摘要

体硅互补型金属-氧化物-半导体集成电路含有寄生4层可控硅结构，当工作在瞬时γ射线脉冲辐射环境下时易发生闩锁，导致电路失效，甚至烧毁，所以电路防闩锁研究意义重大。本文通过求解寄生晶体管中少数载流子连续性方程的方法，分析了辐射光电流在寄生4层可控硅结构中的持续时间，提出了集成电路自洽防闩锁的条件，并得到了自洽防闩锁条件随γ射线剂量率的变化关系。对4层可控硅等效电路和体硅集成电路分别进行了瞬时辐射实验，实验结果与理论分析结果基本一致，验证了理论分析的正确性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈伟		95	286	8.0	11.0
2	林东生		33	148	8.0	10.0
3	王桂珍		32	156	7.0	9.0
4	杨善潮		28	101	6.0	7.0
5	李瑞宾		13	28	3.0	4.0