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摘要:
本文描述了电离辐射对硅器件影响的机理.对试验后的数据进行了分析,指出电离辐射对双极电路、MOS电路、CMOS电路的影响结果.
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内容分析
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文献信息
篇名 电离辐射对集成电路的影响
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 电离辐射 MOS电路 双极电路
年,卷(期) 2005,(7) 所属期刊栏目 测试与可靠性
研究方向 页码范围 23-27,16
页数 6页 分类号 TL8
字数 3623字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1681-1070.2005.07.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜迎 中国电子科技集团公司第五十八研究所 18 93 6.0 8.0
2 蔡荭 中国电子科技集团公司第五十八研究所 8 45 5.0 6.0
3 朱卫良 中国电子科技集团公司第五十八研究所 19 108 6.0 9.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
电离辐射
MOS电路
双极电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543
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