一种优化的Flash存储器测试算法

• 作者: 俞军 张曦 朱一杰
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 直流写 直流擦 漏极干扰 测试算法
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 121-123
• 页数: 3页
• 分类号: TN431.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7180.2004.05.034

摘要

直流写、直流擦以及漏极干扰是影响Flash存储器长期有效保存数据的主要原因,本文在Mohammad失效模型的基础上提出了一个更优的测试算法,从而有效缩短测试时间,节约生产成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	俞军	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	33	352	10.0	18.0
2	朱一杰	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	3	33	3.0	3.0
3	张曦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	12	76	6.0	8.0