一种适用于FinFET单存储单元的高效的动态故障测试算法

• 作者: 张立军 彭增发 桑胜男 郑坚斌
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: SRAM March算法 动态故障 故障原语 MBIST
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

FinFET作为现在最前沿的晶体管技术,在嵌入式存储器上得到了广泛应用.但是,新的工艺也带来了新的缺陷.Synopsys公司通过故障建模及测试发现:FinFET存储器比平面存储器对动态故障更敏感.而经典的测试算法仅仅针对静态故障.目前关于动态故障的测试算法极少,并且复杂度很高.因此,本文提出了一种改进的动态故障测试算法,该算法能够覆盖所有连续两次敏化操作的单单元动态故障.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张立军		18	38	3.0	5.0
2	郑坚斌		4	7	2.0	2.0
3	桑胜男		1	0	0.0	0.0
4	彭增发		2	0	0.0	0.0