SOI部分耗尽SiGeHBT集电结空间电荷区模型

• 作者: 张鹤鸣 徐小波 胡辉勇 许立军 马建立
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI SiGe HBT 集电区 空间电荷区模型
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 799-807
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文

摘要

SOI上的薄膜异质SiGe晶体管通过采用“折叠”集电极，已成功实现SOI上CMOS与HBT的兼容．本文结合SOI薄膜上的纵向SiGeHBT结构模型，提出了包含纵向、横向欧姆电阻和耗尽电容的“部分耗尽（partially depleted）晶体管”集电区简化电路模型．基于器件物理及实际考虑，系统建立了外延集电层电场、电势、耗尽宽度模型，并根据该模型对不同器件结构参数进行分析．结果表明，空间电荷区表现为本征集电结耗尽与MOS电容耗尽，空间电荷区宽度随集电结掺杂浓度减小而增大，随集电结反偏电压提高而增大，随衬底电压减小而增大，直到集电区纵向全部耗尽，然后开始横向扩展．该模型为新一代基于SOI的SiGe毫米波BiCMOS电路设计和仿真提供了重要参考．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	马建立	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	6	29	3.0	5.0
4	徐小波	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	6	23	3.0	4.0
5	许立军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	3	10	1.0	3.0