高速全耗尽CMOS/SOI 2000门门海阵列

• 作者: 刘忠立 刘新宇 吴德馨 孙海峰 海朝和
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 门海阵列 薄膜全耗尽SOI 宏单元
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 1129-1131
• 页数: 4页
• 分类号: TN331.1
• 字数: 2817字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2001.08.034

摘要

本文对全耗尽CMOS/SOI 2000门门海进行了研究,阵列采用宏单元结构,每个宏单元包括2×8个基本单元和8条布线通道,其尺寸为:92μm×86μm.2000门门海阵列采用0.8μm全耗尽工艺,实现了101级环形振荡器和4～128级分频器电路,在工作电压为5V时,0.8μm全耗尽CMOS/SOI 101级环振的单级延迟为45ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
3	刘忠立	中国科学院半导体所	77	412	12.0	14.0
4	孙海峰	中国科学院微电子中心	10	45	4.0	6.0
5	海朝和	中国科学院微电子中心	2	3	1.0	1.0