采用新的抬高源漏工艺技术制作的全耗尽SOI CMOS器件和电路

• 作者: 海潮和 连军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: FDSOI CMOS 抬高源漏
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 672-676
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.008

摘要

采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOI CMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值特性,nMOSFETs和pMOSFETs的亚阈值斜率分别为65和69mV/dec.采用抬高源漏结构的1.2μm nMOSFETs的饱和电流提高了32%,pMOSFETs的饱和电流提高了24%.在3V工作电压下101级环形振荡器电路的单级门延迟为75ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	连军	中国科学院微电子研究所	6	15	3.0	3.0