基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究

• 作者: 刘梦新 张新 洪德杰 王彩琳 邢昆山 高勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 全耗尽 SOI CMOS LDD结构 LDS结构 脉冲测定
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 325-329
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 3754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.008

摘要

介绍了电路的工作原理,对主要的延迟和选通控制单元及整体电路进行了模拟仿真,证明电路逻辑功能达到设计要求.根据电路的性能特点,采用绝缘体上硅结构,选用薄膜全耗尽SOICMOS工艺进行试制.测试结果表明:与同类体硅电路相比,工作频率提高三倍,静态功耗仅为体硅电路的10%,且电路的101级环振总延迟时间也仅为体硅电路的20%,实现了电路对高速低功耗的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化学院电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	王彩琳	西安理工大学自动化学院电子工程系	43	203	8.0	12.0
3	刘梦新	西安理工大学自动化学院电子工程系	9	19	3.0	4.0
4	张新	西安理工大学自动化学院电子工程系	11	49	4.0	6.0
8	洪德杰		1	3	1.0	1.0
9	邢昆山		4	12	3.0	3.0