一种新的部分耗尽SOI器件BTS结构

• 作者: 李瑞贞 韩郑生
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 浮体效应 体接触
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 页码范围: 730-732
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 2332字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.04.009

摘要

提出了一种新的部分耗尽SOI体接触技术,与其它体接触技术相比,该方法可以有效抑制SOI器件的浮体效应.形成多晶硅栅之前在源区进行大剂量P+杂质注入,然后形成非对称源区浅结结构.然后生长硅化物电极,厚的硅化物穿透源区浅结与下面高浓度的体区形成欧姆接触.二维器件模拟表明该结构可以有效降低强反型区体区电势,从而抑制了浮体效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
2	李瑞贞	中国科学院微电子研究所	8	22	3.0	4.0