部分耗尽SOI MOSFET NBTI效应研究

• 作者: 卜建辉 周龙达 曾传滨 杨红 王成成 王芳 罗家俊 蒲石 韩郑生
• 来源期刊: 航空科学技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: 负偏压温度不稳定性 PDSOI 快速测试方法 阈值电压 寿命预测 可靠性
• 年，卷（期）: 2020,（1）
• 所属期刊栏目: 航空科学基金
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: V240.2
• 字数: 1832字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19452/j.issn1007-5453.2020.01.010

摘要

NBTI效应严重影响了器件的高温可靠性,本文对基于1.2μm工艺的PDSOI器件进行了NBTI效应研究.通过加速应力试验得到了NBTI效应对PDSOI器件阈值电压漂移的影响,其主要影响因素有应力时间、温度和栅偏压.试验中通过Vg模型对PDSOI器件进行了NBTI效应寿命预测,实现了对自有1.2μm工艺PDSOI器件的高温可靠性评价.