摄动法研究纳米MOSFETs亚阈值特性

• 作者: 代月花 柯导明 陈军宁
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 正则摄动 表面势 亚阈值摆幅 纳米MOSFETs
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 237-240
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2834字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.019

摘要

采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)的亚阈值特性,即正则摄动法.由于在纳米MOSFETs中,常用的耗尽近似和页面电荷模型(charge-sheet model)不再适用,导致泊松方程由线性变成非线性形式.利用正则摄动法求解非线性泊松方程可以得到纳米MOSFETs亚阈值电流和亚阈值摆幅指数依赖外加偏压的解析表达式.通过与二维器件模拟软件MEDICI模拟结果比较,证明了该方法及结果的有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
3	代月花	安徽大学电子科学与技术学院	34	113	6.0	8.0