亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性

• 作者: 刘晓彦 康晋锋 朱晖文 沈超 韩汝琦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高K材料 栅介质 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1107-1111
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 361字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.003

摘要

用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能退化.这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子学研究所	41	268	9.0	15.0
2	韩汝琦	北京大学微电子学研究所	38	261	10.0	14.0
3	康晋锋	北京大学微电子学研究所	23	358	9.0	18.0
4	沈超	北京大学微电子学研究所	6	32	3.0	5.0
5	朱晖文	北京大学微电子学研究所	2	6	2.0	2.0