深亚微米SOI射频LDMOS功率特性研究

• 作者: 毕津顺 海潮和 韩郑生
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI射频LDMOS 深亚微米 功率增益 功率附加效率
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 770-775
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

提出了一种SOI LDMOS大信号等效电路模型,并给出了功率增益和输入阻抗表达式.基于制备的深亚微米SOI射频LDMOS,测试了功率增益和功率附加效率.深入研究了SOI LDMOS功率特性与栅长,单指宽度,工作电压和频率之间关系.栅长由0.5μm减到0.35 μm时,小信号功率增益增加44%,功率附加效率峰值增加9%.单指宽度由20μm增加到40μm,600 μm/0.5μm器件小信号功率增益降低23%,功率附加效率峰值降低9.3%.漏端电压由3 V增加到5 V,600μm/0.35μm器件小信号功率增益增加13%,功率附加效率峰值增加5.5%.频率由2.5 GHz提高到3.0 GHz,射频功率SOI LDMOS小信号功率增益降低15%,功率附加效率峰值降低4.5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0