一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟

• 作者: 刘新宇 刘运龙 海潮和 钱鹤 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上的硅 nMOS场效应晶体管 浮体效应 体接触
• 年，卷（期）: 2002,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1019-1023
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2002.10.003

摘要

提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和二次侧墙,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方法来实现.模拟结果表明这种结构能够成功抑制SOI nMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应,漏端击穿电压也有显著提高.这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积,而且与体硅MOSFET工艺完全兼容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子中心	141	717	13.0	18.0
2	海潮和	中国科学院微电子中心	72	277	9.0	13.0
3	韩郑生	中国科学院微电子中心	122	412	10.0	12.0
4	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
5	刘运龙	中国科学院微电子中心	5	28	3.0	5.0