部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性

• 作者: 吴峻峰 康晓辉 李多力 杨建军 海潮和 邵红旭 钟兴华 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗尽SOI 体接触 击穿 硅化物 H-gate
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 656-661
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.4
• 字数: 816字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.04.005

摘要

分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制.在此基础上,提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	韩郑生	中国科学院微电子研究所	122	412	10.0	12.0
3	吴峻峰	中国科学院微电子研究所	14	43	4.0	5.0
4	杨建军	中国科学院微电子研究所	23	346	7.0	18.0
5	钟兴华	中国科学院微电子研究所	11	31	4.0	5.0
6	李多力	中国科学院微电子研究所	16	52	4.0	6.0
7	康晓辉	中国科学院微电子研究所	4	21	3.0	4.0
8	邵红旭	中国科学院微电子研究所	4	7	2.0	2.0