采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压

• 作者: 吴峻峰 李多力 毕津顺 海潮和 钟兴华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 部分耗尽SOI 半背沟道 击穿 翘曲效应
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1875-1880
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.10.003

摘要

制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs.测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说,在提高击穿电压和延缓翘曲现象发生方面有良好的表现,并且背栅阈值电压没有太大的变化.数值模拟表明降低的电场有助于击穿特性的提高和翘曲现象的延缓.详细分析了提高击穿特性和延缓翘曲效应的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	吴峻峰	中国科学院微电子研究所	14	43	4.0	5.0
3	钟兴华	中国科学院微电子研究所	11	31	4.0	5.0
4	李多力	中国科学院微电子研究所	16	52	4.0	6.0
5	毕津顺	中国科学院微电子研究所	37	78	5.0	6.0