深亚微米SOI工艺SoC设计中天线效应的消除

• 作者: 史冬霞 桂江华 王淑芬
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI工艺 天线效应 天线规则 布局布线
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 2808字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0411

摘要

深亚微米SOI片上系统芯片(SoC)因其工艺特性,按照常规的布局布线(PNR)流程,出现了约一万个天线效应违规.介绍了一种在布局布线阶段不插入反偏二极管就可以消除大量天线效应违规的优化迭代流程.通过对天线效应的产生以及天线比率公式的分析,从线长和栅面积角度考虑天线效应的修复,结合自动布局布线设计工具SoC Encounter对这些因素的控制,可以在布局布线阶段消除天线效应的违规,并能与版图验证的结果保持一致.在一款通用抗辐照SoC芯片的设计中,应用该优化流程在布局布线阶段消除了设计中的天线效应违规,有效节约了芯片整体设计时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王淑芬		1	0	0.0	0.0
2	史冬霞		1	0	0.0	0.0
3	桂江华		1	0	0.0	0.0