硅基AlN薄膜制备技术与测试分析

• 作者: 于毅 任天令 刘理天
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 直流磁控反应溅射 择优取向 半高宽
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 42-45
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 2326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.009

摘要

采用直流磁控反应溅射法,在Si(100),Al/Si(100)和Pt/Ti/Si(100)等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜.用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析,通过优化工艺参数,得到了提高薄膜择优取向的方法,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理.制备的AlN薄膜显示出良好的〈002〉择优取向性,摇摆曲线的半高宽达到5.6°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子学研究所	87	600	13.0	19.0
3	于毅	清华大学微电子学研究所	4	63	3.0	4.0