硅基MEMS技术

• 作者: 张大成 张立宪 李婷 郝一龙
• 来源期刊: 机械强度
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统 牺牲层 体硅工艺 深刻蚀
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子机械系统器件与工艺
• 页码范围: 523-526
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 3497字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9669.2001.04.027

摘要

结合MEMS技术的发展历史,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向.指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合,追求大质量块和低应力以及三维加工.SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向;标准化加工是MEMS研究的重要手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝一龙	北京大学微电子学研究所	46	716	15.0	25.0
2	张大成	北京大学微电子学研究所	43	793	13.0	27.0
3	李婷	北京大学微电子学研究所	44	616	13.0	23.0