硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究

• 作者: 张国炳 张大成 张锦文 李婷 武国英 王阳元 肖志雄 郝一龙
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS标准工艺 高深宽比刻蚀 键合 多晶硅 应力 防粘附
• 年，卷（期）: 2002,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1577-1584
• 页数: 8页
• 分类号: TN304
• 字数: 9311字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2002.11.001

摘要

本文论述了硅基MEMS标准工艺,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺.深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术.体硅工艺主要进行了以下研究:硅/硅键合、硅/镍/硅键合、硅/玻璃键合工艺及其优化;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究.表面牺牲层工艺主要进行了下列研究:多晶硅薄膜应力控制工艺;防粘附技术的研究与开发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王阳元	北京大学微电子研究院	78	1128	15.0	32.0
2	郝一龙	北京大学微电子研究院	46	716	15.0	25.0
3	张大成	北京大学微电子研究院	43	793	13.0	27.0
4	李婷	北京大学微电子研究院	44	616	13.0	23.0
5	武国英	北京大学微电子研究院	13	274	6.0	13.0
6	张锦文	北京大学微电子研究院	7	221	5.0	7.0
7	肖志雄	北京大学微电子研究院	1	133	1.0	1.0
8	张国炳	北京大学微电子研究院	2	137	2.0	2.0