硅基MEMS技术

• 作者: 张大成 李婷 郝一龙
• 来源期刊: 测试技术学报
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2002,（z2）
• 所属期刊栏目: 微电子机械系统MEMS
• 页码范围: 933-936
• 页数: 4页
• 分类号: TM93
• 字数: 2434字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7449.2002.z2.032

摘要

本文结合MEMS技术的发展历史,概括了当今硅基MEMS加工技术的发展方向.指出表面牺牲层技术和体硅加工技术是硅基MEMS加工技术的两条发展主线;表面牺牲层技术向多层、集成化方向发展;体硅工艺主要表现为键合与深刻蚀技术的组合,追求大质量块和低应力,以及三维加工.SOI技术是新一代的体硅工艺发展方向;标准化加工是MEMS研究的重要手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝一龙	北京大学微电子学研究所	46	716	15.0	25.0
2	张大成	北京大学微电子学研究所	43	793	13.0	27.0
3	李婷	北京大学微电子学研究所	44	616	13.0	23.0