预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响

• 作者: 任迪远 余学峰 崔帅 张华林 艾尔肯
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 预先老化 辐照 注F 可靠性
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 111-114
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.023

摘要

对注F和未注F CC4007器件在100℃高温老化后的Co60辐照特性进行了研究.研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累,损害了器件的可靠性.可见,栅介质中F离子的引入可以明显提高器件的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
2	艾尔肯	中国科学院新疆理化技术研究所	17	152	7.0	12.0
3	余学峰	中国科学院新疆理化技术研究所	19	125	7.0	10.0
4	张华林	中国科学院新疆理化技术研究所	4	52	3.0	4.0
5	崔帅	中国科学院新疆理化技术研究所	14	39	4.0	6.0