Ultra-Thin Body SOI MOSFET交流特性分析和结构优化

• 作者: 田豫 黄如
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: UTB MOSFET 交流特性 模拟
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 120-125
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 3240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.025

摘要

针对沟道长度为50nm的UTB SOI器件进行了交流模拟工作,利用器件主要的性能参数,详细分析了UTB结构的交流特性.通过分析UTB SOI器件的硅膜厚度、侧墙宽度等结构参数对器件交流特性的影响,对器件结构进行了优化.最终针对UTB SOI MOSFET结构提出了一种缓解速度和功耗特性优化之间矛盾的方法,从而实现了结构参数的优化选取,使UTB SOI MOSFET器件的应用空间更为广泛.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄如	北京大学微电子学研究所	87	413	9.0	17.0
2	田豫	北京大学微电子学研究所	4	4	2.0	2.0