薄膜积累型SOI pMOSFET

• 作者: 海潮和 程超 连军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 积累型 绝缘体上硅 pMOS
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 1765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.006

摘要

对薄膜积累型SOI pMOSFET的制备和特性进行了研究.把一些特性和反掺杂型SOI pMOSFET进行了比较.其亚阈值斜率只有69mV/decade,而且几乎没有DIBL效应.漏击穿电压为10.5V,与反掺杂型相比,提高了40%.饱和电流为130μA/μm,比反掺杂型提高了27%以上.在3V工作电压下,101级SOI CMOS环形振荡器的单级门延迟为56ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	海潮和	中国科学院微电子研究所	72	277	9.0	13.0
2	连军	中国科学院微电子研究所	6	15	3.0	3.0
3	程超	中国科学院微电子研究所	5	3	1.0	1.0